[发明专利]导电薄膜有效
| 申请号： | 201610116621.5 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105755430B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 冯孝攀 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/24;C23C28/04 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种导电薄膜，包括层叠的ZnO：R3+层及V2O5层，其中，R为铝元素，镓元素和铟元素中的一种。上述导电薄膜通过在ZnO：R3+层的表面沉积及高功函的V2O5层制备双层导电薄膜，既能保持ZnO：R3+层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的ZnO:R3+层及V2O5层，其中，R为铝元素，镓元素和铟元素中的一种；所述导电薄膜采用以下步骤制备而成：将ZnO:R3+靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，磁控溅射镀膜设备的真空腔体的真空度为1.0×10‐3Pa～1.0×10‐6Pa；在所述衬底表面溅镀ZnO:R3+层，溅镀所述ZnO:R3+层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃，得到负载有ZnO:R3+薄膜的衬底；再将所述负载有ZnO:R3+薄膜的衬底和V2O5靶材放入蒸镀设备中，其中，所述蒸镀设备的真空腔体的真空度为1.0×10‐3Pa～1.0×10‐6Pa,在所述ZnO:R3+层表面蒸镀V2O5层，蒸镀所述V2O5层的工艺参数为：衬底与靶材的间距为45mm～95mm，蒸发温度为400～950℃，蒸发速率为0.5～5nm/s；及剥离所述衬底得到所述导电薄膜。
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