[发明专利]微电子器件用压敏贴膜

摘要

本发明公开一种微电子器件用压敏贴膜，其贴合于发热部件表面，石墨层通过以下工艺方法获得：聚酰亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺薄膜；石墨改性剂由以下重量份的组分组成：均苯四甲酸二酐28份、二苯甲酮四酸二酐13.5份、二氨基二苯甲烷25份、二甲基甲酰胺24份、N‑甲基吡咯烷酮9份、乙二醇2.2份、聚二甲基硅氧烷2.2份；将处理后的聚酰亚胺薄膜升温至800℃，保温后在升温至1200℃从而获得预烧制的碳化膜；采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜。本发明提高了结晶度同时，也提高了致密性和结晶度，进一步提高了在垂直方向和水平方向的导热性能。

主权项

一种微电子器件用压敏贴膜，所述压敏贴膜贴合于发热部件表面，所述压敏贴膜包括石墨层、位于石墨层表面的导热胶粘层和离型材料层，此离型材料层贴合于导热胶粘层与石墨层相背的表面；其特征在于：所述石墨层通过以下工艺方法获得，此工艺方法包括以下步骤：步骤一、将聚酰亚胺薄膜从室温升至250℃，保温后升至400℃后将至室温；步骤二、在经过步骤一的聚酰亚胺薄膜的上、下表面均涂覆一层石墨改性剂获得处理后的聚酰亚胺薄膜，所述石墨改性剂的粘度为30000~48000CP；所述石墨改性剂由以下重量份的组分组成：均苯四甲酸二酐                  28.5份，二苯甲酮四酸二酐                12.5份，二氨基二苯甲烷                  26份，二甲基甲酰胺                    22份，N‑甲基吡咯烷酮                  8.5份，乙二醇                          1.5份，聚二甲基硅氧烷                  2份；步骤三、将处理后的聚酰亚胺薄膜升温至800℃，保温后在升温至1200℃，保温后冷却，从而获得预烧制的碳化膜；步骤四、采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜；步骤五、升温至2400℃，保温后再升温至2900℃，保温后冷却，从而获得主烧制的石墨膜；步骤六、然后将步骤五所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨层。