[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610117706.5 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105679899B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 胡任浩 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的GaN低温缓冲层、GaN高温缓冲层、N型GaN层、应力释放层、发光层、P型电子阻挡层、P型GaN层，发光二极管外延片还包括设置在蓝宝石衬底和低温缓冲层之间的AlN低温缓冲层和AlN高温缓冲层，AlN低温缓冲层的生长温度为450～700℃，AlN高温缓冲层的生长温度为1000～1200℃。本发明通过在蓝宝石衬底和低温缓冲层之间设置AlN低温缓冲层和AlN高温缓冲层，有效降低GaN基材料与蓝宝石衬底之间的晶格失配和热失配，降低外延片的缺陷密度，提高抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的GaN低温缓冲层、GaN高温缓冲层、N型GaN层、应力释放层、发光层、P型电子阻挡层、P型GaN层，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括设置在所述蓝宝石衬底和所述低温缓冲层之间的AlN低温缓冲层和AlN高温缓冲层，所述AlN低温缓冲层的生长温度为450～700℃，所述AlN高温缓冲层的生长温度为1000～1200℃，所述AlN低温缓冲层的厚度为5～20nm。
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