[发明专利]一种提高硅基GaNHEMT关态击穿电压的器件结构及实现方法在审
| 申请号： | 201610117876.3 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107154426A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 王茂俊;陶明;郝一龙 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高硅基GaN HEMT关态击穿电压的器件结构及其制作方法，所述结构包括硅衬底、碳掺杂GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、绝缘栅介质层、栅电极、介质钝化层、源端肖特基‑欧姆混合电极以及漏端欧姆电极。在硅衬底上外延生长AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成绝缘栅介质层、有源区、源漏欧姆接触以及栅金属之后，形成源端肖特基‑欧姆混合电极。肖特基接触结构对高压起到了一定的屏蔽作用，减少了从源端经由器件沟道势垒层或者缓冲层注入到漏端的电流，进而提高了器件的关态击穿电压。本发明实现方法简单，大幅度提高GaN HEMT的击穿电压，拓宽其在功率开关领域中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 ganhemt 击穿 电压 器件 结构 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种提高硅基GaN HEMT关态击穿电压的器件结构及实现方法，其特征在于：所述结构包括硅衬底、碳掺杂的GaN或AlN缓冲层、本征GaN沟道层、本征AlGaN势垒层、绝缘栅介质层、栅电极、介质钝化层、源端肖特基‑欧姆混合电极以及漏端欧姆电极；所述绝缘栅介质层、源端肖特基‑欧姆混合电极以及漏端欧姆电极均位于本征AlGaN势垒层之上，栅电极位于绝缘栅介质层之上，介质钝化层则位于最上层；在硅基衬底上外延生长含碳掺杂的AlGaN/GaN异质结材料，并在该异质结材料上形成MOS栅极、源端肖特基‑欧姆混合电极以及漏端欧姆电极，最后淀积钝化层实现器件的钝化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610117876.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构
- 同类专利
- 专利分类
