[发明专利]光器件芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201610118171.3 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105938861A | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 荒川太朗;中野铁马 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光器件芯片的制造方法，能够提高光器件芯片的光取出效率。该光器件芯片的制造方法分割光器件晶片(11)并制造多个光器件芯片，该光器件芯片的制造方法具有：激光加工槽形成步骤，照射对于光器件晶片具有吸收性的波长的激光光线(L1)，沿着分割预定线在光器件晶片的背面(11b)侧形成与分割预定线正交的截面的形状为V字形的一对激光加工槽(19)；V槽形成步骤，对于在一对激光加工槽之间的区域存在的光器件晶片，利用切削刀具(14)进行破碎并去除，形成V槽(21)；研磨步骤，研磨V槽的内壁面；以及分割步骤，在V槽和分割预定线之间产生龟裂(25)，沿着各个分割预定线将光器件晶片分割为各个光器件芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光器件芯片的制造方法，对于在由多个分割预定线划分出的各个区域中分别形成包含发光层的光器件的光器件晶片，沿着该分割预定线进行分割而制造出多个光器件芯片，其中，该多个分割预定线设定于该光器件晶片的正面并相互交叉，该光器件芯片的制造方法的特征在于，包含：激光加工槽形成步骤，对光器件晶片的背面斜向地照射对于光器件晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着该分割预定线在光器件晶片的背面侧形成与该分割预定线正交的截面的形状为V字形的一对激光加工槽；V槽形成步骤，在实施了激光加工槽形成步骤后，对于在该一对激光加工槽之间的区域内存在的光器件晶片，利用切削刀具进行破碎并去除，形成与该一对激光加工槽的形状对应的V字形的V槽；研磨步骤，在实施了该V槽形成步骤后，研磨该V槽的内壁面；以及分割步骤，在实施了该研磨步骤后，对光器件晶片施加外力，在该V槽与该分割预定线之间产生龟裂，沿着各个分割预定线将光器件晶片分割为各个光器件芯片。
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