[发明专利]一种基于超材料的太赫兹医学成像仪及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201610118177.0 申请日: 2016-03-02
公开(公告)号: CN105796056B 公开(公告)日: 2018-09-25
发明(设计)人: 陶虎;周志涛;黎华;史之峰;陈亮;毛颖;曹俊诚 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: A61B5/00 分类号: A61B5/00
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 唐棉棉
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种基于超材料的太赫兹医学成像仪及其制作方法,所述成像仪至少包括基于超材料的多频谱大阵列太赫兹探测器,所述太赫兹探测器包括:具有空腔的硅片基底;形成于所述硅片基底的正面的第一介质层;悬浮在所述空腔上的第二介质层和超材料太赫兹谐振子阵列;形成于所述第一介质层表面且与所述超材料太赫兹谐振子阵列电连的引线结构。本发明主要通过基于超材料的多频谱大阵列太赫兹探测器来探测从成像样品上反射或透射的太赫兹波,根据探测器的响应信号实现物体重构。该成像仪具有成像速度快,对生物体完全无害,分辨率高,能实现实时结构与功能成像,与现有的主流医学成像手段形成了良好的互补。
搜索关键词: 一种 基于 材料 赫兹 医学 成像 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种基于超材料的太赫兹医学成像仪,其特征在于,所述基于超材料的太赫兹医学成像仪至少包括基于超材料的多频谱大阵列太赫兹探测器,所述太赫兹探测器包括:硅片基底,所述硅片基底具有空腔;第一介质层,形成于所述硅片基底的正面;悬浮薄膜结构,悬浮在所述空腔上,所述悬浮薄膜结构包括第二介质层和形成于所述第二介质层表面的超材料太赫兹谐振子阵列;引线结构,形成于所述第一介质层表面且与所述超材料太赫兹谐振子阵列电连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610118177.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top