[发明专利]一种磁控溅射法制备GaN/导电基体复合材料的方法及其在锂离子电池上的应用在审
| 申请号： | 201610118186.X | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105633378A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 倪世兵;黄鹏 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/136;H01M4/1397;H01M4/04;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 蒋悦 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁控溅射法制备GaN/导电基体复合材料的方法，该复合材料为GaN，具体制备方法为：将纯度为99.99％GaN靶材和金属衬底分别安置于溅射腔中，靶材与衬底距离D＝7cm；对腔体进行抽真空，V≥1×10-7Torr；对衬底进行加热，并将其温度保持在25～700℃；利用磁控溅射对靶材进行轰击，在金属衬底上沉积生长GaN。所制备GaN直接生长在导电基体上，与基体结合紧密；所制备样品中GaN为均匀的纳米颗粒，平均尺寸在40nm；所制备GaN可作为锂离子电池负极材料，具有较高充、放电容量和较低的充、放电平台。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 法制 gan 导电 基体 复合材料 方法 及其 锂离子电池 应用 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射法制备GaN/导电基体复合材料的方法，其特征在于，该复合材料为GaN，具体制备方法为：(1)将纯度为99.99％GaN靶材和金属衬底分别安置于溅射腔中，靶材与衬底距离D＝7cm；(2)对腔体进行抽真空，V≥1×10‑7Torr；(3)对衬底进行加热，并将其温度保持在25～700℃；(4)利用磁控溅射对靶材进行轰击，在金属衬底上沉积生长GaN。
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