[发明专利]半导体疾病芯片的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610118282.4 申请日: 2016-03-01
公开(公告)号: CN105758919A 公开(公告)日: 2016-07-13
发明(设计)人: 谈忠琴;戴丰加 申请(专利权)人: 杭州格磊思沃科技有限公司
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 311200 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及生物电子领域,公开一种可寻址的半导体疾病芯片,半导体疾病芯片的制造方法。半导体疾病芯片包括半导体芯片、检测井底表面功能化及检测方法。半导体芯片的特征在于包括至少一个传感器阵列以及传感器上方对应的检测井阵列;传感器由电路连接,每个井的位置是确定的,互不干扰。井内固定特定疾病的检测指标,目标分子进入检测井会产生特异性反应,相应酶催化底物改变离子浓度,而传感器能够感应检测井中的pH变化而产生电信号。一个井最多对应一种指标或一种疾病,或多个井对应一种疾病不同指标,实现多指标同时检测。信号大的位置对应为反应活跃的井,即对应井中待检指标。
搜索关键词: 半导体 疾病 芯片 制造 方法
【主权项】:
一种半导体疾病芯片,包括至少一个传感器阵列以及传感器上方对应的检测井阵列;传感器由电路连接,每个井的位置是确定的;自下而上依次为场效应晶体管、金属层、金属化合物层及氧化物层。
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