[发明专利]同步开关变换器及用于同步开关变换器的集成半导体开关器件有效
申请号: | 201610119048.3 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN105702668B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 王怀峰;艾瑞克·布劳恩 | 申请(专利权)人: | 成都芯源系统有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H02M3/155;H02M1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明提出了一种用于同步开关变换器的集成半导体开关器件及一种同步开关变换器。集成半导体开关器件包括第一半导体单元和与第一半导体单元并联连接的第二半导体单元,其中第一半导体单元包括具有体二极管的MOS元件,第二半导体单元包括二极管或金属氧化物场效应晶体管,第二半导体单元根据电流的分布而不均匀地分布于第一半导体单元中。与现有技术相比,本发明的集成半导体开关器件在整体上的损耗更小,效率更高。 | ||
搜索关键词: | 半导体单元 集成半导体 开关器件 同步开关 变换器 金属氧化物场效应晶体管 二极管 并联连接 体二极管 不均匀 | ||
【主权项】:
1.一种用于同步开关变换器的集成半导体开关器件,包括:第一半导体单元,包括具有体二极管的MOS元件,所述MOS元件具有源极、漏极和栅极;以及第二半导体单元,与第一半导体单元并联连接,所述第二半导体单元包括二极管,所述二极管具有阳极和阴极,其中阳极耦接至MOS元件的源极,阴极耦接至MOS元件的漏极,所述二极管的导通压降小于MOS元件体二极管的导通压降;其中第二半导体单元根据流过集成半导体开关器件的电流分布而不均匀地分布于第一半导体单元中,在电流越大的区域,第二半导体单元所占的面积越大,以及在电流越小的区域,第二半导体单元所占的面积越小。
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