[发明专利]等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置

摘要

本发明提出一种等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置，包括：真空反应腔；样品台，可旋转，位于真空反应腔的底部；等离子体激发单元，位于真空反应腔的顶部；隔板，将真空室沿垂直方向分成两个腔室；第一气路和第二气路，用于向两个腔室分别通入第一类气态反应源和第二类气态反应源；其中，等离子体激发单元用于激发第一气态类反应源和第二类气态反应源电离分解，隔板防止两类气态反应源在衬底以外的表面发生预反应，旋转样品台形成外延生长所需要的层流，并让样品表面交替吸附第一类、第二类气态反应源分解形成的原子。本发明的外延生长装置具有生长温度不受限于气态反应源分解温度、适合于大面积廉价衬底的优点。

主权项

一种等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置，其特征在于，包括：真空反应腔；样品台，所述样品台可旋转，位于所述真空反应腔的底部；等离子激发单元，所述等离子激发单元位于所述真空反应腔的顶部；真空隔板，所述的真空隔板位于所述等离子体激发单元和所述样品台之间，将所述真空反应腔沿垂直方向分隔为第一类气态反应源吸附区和第二类气态反应源吸附区；具有第一进气口的第一气路，用于向所述第一类气态反应源吸附区通入第一类气态反应源；具有第二进气口的第二气路，用于向所述第二类气态反应源吸附区通入第二类气态反应源；其中，所述等离子体激发单元用于激发所述第一气态反应源和第二气态反应源电离分解；所述真空隔板用于防止所述第一类气态反应源和所述第二类气态反应源在衬底表面以外的空间发生预反应；所述样品台旋转形成外延生长所需要的层流，并让样品表面交替吸附第一类、第二类气态反应源分解形成的原子。