[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610119815.0 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105977297B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 津村和宏 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为半导体装置，其具有功率元件和检测功率元件的温度的热敏元件，其中，通过对构成功率元件的晶体管的一部分进行变形而将热敏元件配置在发热源附近，以使得热敏元件能够更准确地检测功率元件的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：功率元件，其形成于第一半导体层；以及矩形的热敏元件，其形成于借助绝缘膜与所述第一半导体层分离的第二半导体层，用于检测所述功率元件的温度，平面观察时，所述热敏元件的至少两边与所述功率元件相邻，在所述功率元件中，多个横型MOS晶体管以相等的间距配置，缩短所述横型MOS晶体管的漏区的一部分的宽度而配置所述热敏元件，在所述多个横型MOS晶体管中的与所述热敏元件相邻的至少一个MOS晶体管中，源区宽度和漏区宽度之差比不与所述热敏元件相邻的所述MOS晶体管的源区宽度和漏区宽度之差大。
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