[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201610119871.4 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN105937023B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 三浦繁博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置包括:旋转台,其以能够旋转的方式设置于真空容器内,能够载置基板;第1反应气体供给部,其能够向旋转台的表面供给第1反应气体;第2反应气体供给部,其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部分开地设置,能够向旋转台的表面供给与第1反应气体发生反应的第2反应气体;活化气体供给部,其沿着旋转台的周向与第1反应气体供给部以及第2反应气体供给部分开地设置,包括能够向旋转台的表面供给被活化了的含氟气体的喷出部,活化气体供给部包括:配管,其设置于比喷出部靠上游侧的位置,能够向喷出部供给含氟气体;1个或多个含氢气体供给部,其设置于配管,能够向配管的内部供给含氢气体。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其中,该基板处理装置包括:旋转台,其以能够旋转的方式设置于真空容器内,能够载置基板;第1反应气体供给部,其能够向所述旋转台的表面供给第1反应气体;第2反应气体供给部,其沿着所述旋转台的周向与所述第1反应气体供给部分开地设置,能够向所述旋转台的表面供给与所述第1反应气体发生反应的第2反应气体;活化气体供给部,其沿着所述旋转台的周向与所述第1反应气体供给部以及所述第2反应气体供给部分开地设置,所述活化气体供给部包括:喷出部,其能够向所述旋转台的表面供给被活化了的含氟气体;配管,其设置于比所述喷出部靠上游侧的位置,能够向所述喷出部供给所述含氟气体;1个或多个含氢气体供给部,其设置于所述配管,能够向所述配管的内部供给含氢气体,其中,该基板处理装置还具有控制部,该控制部对从所述含氢气体供给部供给的所述含氢气体的流量进行控制,以对从所述喷出部向所述旋转台和所述喷出部之间的空间供给的含氟气体的浓度的面内分布进行控制,其中,所述活化气体供给部还包括等离子体生成部,该等离子体生成部经由所述配管与所述喷出部连接,用于使所述含氟气体活化,所述含氢气体供给部设置于所述喷出部和所述等离子体生成部之间。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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