[发明专利]一种动态抗噪声干扰的电平移位电路

摘要

本发明属于电子电路技术领域，具体的说涉及一种动态抗噪声干扰的电平移位电路。本发明的电路，相比传统的电平移位电路的区别主要为，传统的高压电平位移电路难以满足高开关速度的要求，本发明的电平位移电路，采用PMOS管为LDMOS管提供大的充电电流，并减小了负载电阻上的噪声压降。本发明的有益效果为，本设计使得电路在高开关速度工作的情形下，会自动提升LMDOS管LD1、LD2漏端电位变化速度以及电路的噪声免疫能力。

主权项

一种动态抗噪声干扰的电平移位电路，该电路由第一LDMOS管LD1、第二LDMOS管LD2、第三LDMOS管LD3、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一齐纳二极管D1、第二齐纳二极管D2、第三齐纳二极管D3、第一负载电阻R1、第二负载电阻R2和第三负载电阻R3构成；其中，第一LDMOS管LD1的栅极接第一输入信号，其漏极接第一PMOS管MP1的漏极，其源极接地；第一PMOS管MP1的栅极接第三齐纳二极管D3的阳极，其源极接高端浮动电源VB；第三齐纳二极管的阴极接高端浮动电源VB，第三齐纳二极管D3与第三负载电阻R3并联；第一PMOS管MP1的漏极连接第一齐纳二极管D1的阳极，第一齐纳二极管D1的阴极接高端浮动电源VB，第一齐纳二极管D1与第一负载电阻R1并联；第二LDMOS管LD2的栅极接第二输入信号，其漏极接第二PMOS管MP2的漏极，其源极接地；第二PMOS管MP2的栅极接第三齐纳二极管D3的阳极，其源极接高端浮动电源VB；第二PMOS管MP2的漏极连接第二齐纳二极管D2的阳极，第二齐纳二极管D2的阴极接高端浮动电源VB，第二齐纳二极管D2与第二负载电阻R2并联；第三LDMOS管LD3的漏极接第三齐纳二极管D3的阳极、第一PMOS管MP1栅极、第二PMSO管MP2栅极和第三负载电阻R3的连接点，第三LDMOS管LD3的源极和栅极接地；第一LDMOS管LD1的漏极、第一齐纳二极管D1阳极、第一PMOS管MP1漏极和第一负载电阻R1的连接点作为第一输出端；第二LDMOS管LD2的漏极、第二齐纳二极管D2阳极、第二PMOS管MP2漏极和第二负载电阻R2的连接点作为第二输出端。