[发明专利]GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法，该结构包括：键合衬底；刻蚀阻挡层，对应切割道区域结合于所述键合衬底表面；P电极，键合于所述键合衬底；发光外延结构，结合于所述P电极上，包括依次层叠的P‑GaN层、量子阱层及N‑GaN层，所述发光外延结构由切割道区域隔开成发光外延台面结构；以及N电极，形成于所述N‑GaN层表面。本发明公开了一种可提高垂直芯片可靠性的器件结构及其制备方法，于切割道区域生长SiO₂刻蚀阻挡层，使得剥离后ICP深刻蚀MESA台面时，避免切割道金属碎屑飞溅到芯片侧壁而出现的漏电情况。本发明的器件结构利用简单的一道负性光刻胶进行光刻即可完成，制程方便，成本低，适合批量生产使用。

主权项

1.一种GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：步骤1)，提供一生长衬底，于所述生长衬底上形成包括N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层的发光外延结构；步骤2)，于所述P‑GaN层表面形成刻蚀阻挡层，于所述刻蚀阻挡层中形成P电极制备区域，并至少保留切割道区域的刻蚀阻挡层；步骤3)，于所述P电极制备区域制备P电极；步骤4)，提供一键合衬底，并键合所述键合衬底及P电极；步骤5)，剥离所述生长衬底；步骤6)，去除切割道区域的发光外延结构，直至露出所述刻蚀阻挡层；步骤7)，于所述N‑GaN层表面形成N电极。