[发明专利]绝缘层上顶层硅衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 201610120580.7 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107154347B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘层上顶层硅衬底的制造方法，包括：提供一第一半导体衬底；于该第一半导体衬底的顶面形成一第一绝缘层；对该第一半导体衬底表面进行离子束注入，以便在距离该第一绝缘层的顶面的预定深度处形成一重氢与氦气掺杂层；提供一第二半导体衬底；于该第二半导体衬底的顶面形成一第二绝缘层；将该第一半导体衬底面对面地接合于该第二半导体衬底；对该第一半导体衬底以及该第二半导体衬底进行退火；以及将部分的第一半导体衬底与该第二半导体衬底分离，以便形成一掺杂有重氢与氦气的半导体层于该第二半导体衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 顶层 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘层上顶层硅衬底的制造方法，包括：提供一第一半导体衬底；在该第一半导体衬底的顶面形成一第一绝缘层；对该第一半导体衬底表面进行离子束注入，以便在距离该第一绝缘层的顶面的预定深度处形成一重氢与氦气掺杂层；提供一第二半导体衬底；在该第二半导体衬底的顶面形成一第二绝缘层；将该第一半导体衬底面对面地接合于该第二半导体衬底；对该第一半导体衬底以及该第二半导体衬底进行退火；以及将部分的第一半导体衬底与该第二半导体衬底分离，以便在该第二半导体衬底上形成一掺杂有重氢与氦气的半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
