[发明专利]具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构及制备方法

摘要

本发明提供一种具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构及制备方法，该结构包括：键合衬底；P焊盘，键合于所述键合衬底；具有倾斜侧壁的倒金字塔型发光外延结构，结合于所述P焊盘上，包括依次层叠的P‑GaN层、量子阱层及N‑GaN层，所述N‑GaN层表面形成有粗化结构；以及N焊盘，形成于所述N‑GaN层表面。本发明主要利用金属自平坦化晶片键合、激光剥离技术及ICP干法刻蚀技术制备的具有倒金字塔型侧壁的垂直结构LED芯片，侧壁做成倒金字塔型可有效地减少器件与空气界面处的全反射，使更多的光以更短的距离传输出去，此种垂直芯片侧壁结构增加了光提取效率，更有利于出光。本发明结构及方法简单，能大大提高光提取效率，在半导体照明领域具有广泛的应用前景。

主权项

一种具有倒金字塔型侧壁的GaN基LED垂直芯片结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：步骤1)，提供一生长衬底，于所述生长衬底上形成包括N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层的发光外延结构；步骤2)，刻蚀所述发光外延结构，以形成具有正金字塔型倾斜侧壁的发光外延结构；步骤3)，于所述P‑GaN层表面形成P焊盘；步骤4)，提供一键合衬底，并键合所述键合衬底及P焊盘；步骤5)，剥离所述生长衬底露出所述N‑GaN层，形成固定于所述键合衬底上的具有倒金字塔型倾斜侧壁的发光外延结构；步骤6)，对裸露的N‑GaN层表面进行粗化；步骤7)，于所述N‑GaN层表面形成N焊盘。