[发明专利]单晶硅的生长方法及其制备的单晶硅锭在审
| 申请号： | 201610120879.2 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107151818A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅的生长方法，是以柴氏拉晶法，将置于坩埚内的硅原料熔化而形成熔体，并提拉该熔体而使单晶硅生长的方法，其中，该硅原料包括表面生长氮化硅并掺杂氘的硅片及多晶硅碎块；在形成熔体时通入包括氩气的气体；以及在提拉步骤中施加磁场。本发明亦提供一种以该单晶硅制备晶圆的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 方法 及其 制备 | ||
【主权项】：
一种单晶硅的生长方法，是以柴氏拉晶法，将置于坩埚内的硅原料熔化而形成熔体，并提拉该熔体而使单晶硅生长的方法，其特征在于：该硅原料包括表面生长氮化硅并掺杂氘的硅片及多晶硅碎块；在形成熔体时通入包括氩气的气体；以及在提拉步骤中施加磁场。
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