[发明专利]一种微纳加工制备电子器件的方法

摘要

本发明公开了一种微纳加工制备电子器件的方法，包括在第一硅片上旋涂光刻胶、烘胶处理后、曝光处理、显影处理、PMMA膜转移第二硅片上等操作步骤，最终得到电子器件。该方法中利用利用普通照明光源进行光刻以制备器件电极，再通过湿法转移的方式把金电极转移至纳米材料上面制成电子器件，简单方便，且无需购置贵重设备，只需普通实验室和车间的实验条件即可做出微纳器件，大大降低了实验成本，推广了微纳器件制备的应用，促进对纳米材料的实验研究。

主权项

一种微纳加工制备电子器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：取一片第一硅片，所述第一硅片上设有二氧化硅氧化层；在所述第一硅片上旋涂一层光刻胶；步骤2：把涂有光刻胶的第一硅片置于热台上进行烘胶处理；烘胶处理结束后将第一硅片平放，用光刻板轻轻压在第一硅片上；在曝光光源下照射进行曝光处理；步骤3：曝光处理后的第一硅片浸泡在显影液中进行显影处理，之后立即用蒸馏水冲洗干净；利用真空热蒸镀仪在显影出图形的第一硅片上蒸镀金属；步骤4：把已蒸镀金属的第一硅片浸泡在丙酮中，去掉光刻胶以及多余的金属，使第一硅片上留有所需图案的金属电极，之后将其从丙酮中取出吹干；在有金属电极的第一硅片上旋涂一层PMMA，之后将其放在热台上进行烘胶；步骤5：把涂有PMMA膜的第一硅片浸泡在氢氧化钠溶液中50‑120min以去除第一硅片上的氧化层并使PMMA膜与第一硅片分离，此时金属电极也随之粘在PMMA膜上，再用蒸馏水洗干净PMMA膜；在显微镜下把附有金属电极的PMMA膜转移到设有所需测试样品的第二硅片上，待PMMA膜干后，把上有PMMA膜的第二硅片放在热台上烘干；步骤6：把上有PMMA膜的第二硅片浸泡在丙酮中以去除PMMA膜，浸泡完后用氮气吹干净第二硅片表面的丙酮，最终金属电极转移至设有所需测试样品的第二硅片上，制得所需器件。