[发明专利]一种气液喷雾刻蚀设备及方法有效
申请号: | 201610121299.5 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN105702606B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 高雪伟;冯惠谦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种气液喷雾刻蚀设备及方法。所述设备包括刻蚀腔室、气体提供装置、刻蚀液提供装置、气液混合装置、气液喷射装置;气液混合装置用于将刻蚀液提供装置提供的刻蚀液和气体提供装置提供的载气混合,形成气液混合物,其中,刻蚀液用于刻蚀刻目标物;气液喷射装置用于利用所述气液混合物形成喷雾并按照设定压强将所述喷雾喷射至目标物上的目标位置。所述方法,采用本发明任意一项实施例所提供的气液喷雾刻蚀设备对目标物进行刻蚀,包括:将用于刻蚀目标物的刻蚀液与刻蚀液的载气进行混合,形成气液混合物;将所述气液混合物按照设定速率喷射到待刻蚀的目标物上的目标位置。本发明所提供的设备及方法,能够改善湿法刻蚀效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 喷雾 刻蚀 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种气液喷雾刻蚀设备,其特征在于,包括刻蚀腔室、气体提供装置、刻蚀液提供装置、气液混合装置、气液喷射装置;其中:气液混合装置,与所述气体提供装置、刻蚀液提供装置分别连接,用于将刻蚀液提供装置提供的刻蚀液和气体提供装置提供的载气混合,形成气液混合物,其中,所述刻蚀液用于刻蚀刻蚀腔室中的目标物;气液喷射装置,与所述气液混合装置连接,用于利用所述气液混合物形成喷雾并按照设定压强将所述喷雾喷射至目标物上的目标位置;还包括距离调节机构,用于在不同的喷雾压力参数下,调节喷嘴与目标物间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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