[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201610121875.6 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN106531215B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 李映勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文提供了一种半导体存储器件及其操作方法，该半导体存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；外围电路，被配置成执行对存储单元阵列的编程操作或擦除操作；以及控制逻辑，被配置成控制外围电路，使得在编程操作的第一编程操作期间施加给存储单元阵列的位线的第一编程容许电压与在编程操作的第二编程操作期间施加的第二编程容许电压彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；外围电路，被配置成执行对存储单元阵列的编程操作或擦除操作；以及控制逻辑，被配置成控制外围电路，使得在编程操作的第一编程操作期间施加给存储单元阵列的位线的第一编程容许电压与在编程操作的第二编程操作期间施加的第二编程容许电压彼此不同。
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