[发明专利]一种聚偏氟乙烯薄膜驻极体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610121876.0 申请日: 2016-02-29
公开(公告)号: CN105788863B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 陈钢进;许海东;王振岳 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01G7/02 分类号: H01G7/02;B81C99/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 王桂名
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种聚偏氟乙烯薄膜驻极体的制备方法,制备方式包括:(1)将纳米模板清洗烘干后放置到玻璃片上,纳米模板表面设有很多纳米级的凹孔,放置时模板表面朝上;(2)将聚偏氟乙烯溶解形成溶液;(3)将聚偏氟乙烯溶液涂于纳米模板上,放入烤箱烘烤后自然风干,形成聚偏氟乙烯薄膜;(4)将聚偏氟乙烯薄膜与纳米模板分离;(5)在高温下对聚偏氟乙烯薄膜进行电晕极化,极化温度为70℃~200℃,极化时间5‑10分钟。本发明制备的薄膜驻极体表面具有独特的微纳米结构,与模板容易脱离,且该驻极体同时具有静电效应和压电效应。
搜索关键词: 聚偏氟乙烯薄膜 纳米模板 制备 驻极体 极化 聚偏氟乙烯溶液 溶解形成溶液 聚偏氟乙烯 微纳米结构 电晕极化 静电效应 烤箱烘烤 模板表面 清洗烘干 体表面具 压电效应 自然风干 玻璃片 纳米级 凹孔 朝上 放入 驻极 薄膜 脱离
【主权项】:
一种聚偏氟乙烯薄膜驻极体的制备方法,其特征在于以下步骤:(1)将纳米模板清洗烘干后放置到玻璃片上,纳米模板表面设有很多纳米级的凹孔,放置时模板表面朝上;(2)将聚偏氟乙烯材料溶解形成聚偏氟乙烯溶液;(3)将聚偏氟乙烯溶液涂于纳米模板上,放入烤箱烘烤后自然风干,形成聚偏氟乙烯薄膜;(4)将聚偏氟乙烯薄膜与纳米模板分离;(5)在高温下对聚偏氟乙烯薄膜进行电晕极化,极化温度为70℃~200℃,极化时间5‑10分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州电子科技大学,未经杭州电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610121876.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top