[发明专利]一种铜箔基材制备方法及应用其的超材料加工方法在审
| 申请号： | 201610122546.3 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107155262A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院 |
| 主分类号： | H05K3/02 | 分类号： | H05K3/02;C23F1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及材料加工领域，具体涉及一种铜箔基材制备方法及应用其的超材料加工方法。该方法对多个普通厚度铜箔基材通过真空蚀刻进行均匀减小铜厚度，对减小铜厚度后的多个铜箔基材进行厚度确定，筛选出铜厚符合铜厚规格要求且铜厚均匀性达到预设阈值的铜箔基材，用于后续微结构加工的基材。该铜箔基材制备方法将只应用在PCB生产工艺中的真空蚀刻运用到均匀减小铜厚度上，通过真空蚀刻将普通厚度铜箔基材加工成供微结构加工使用的薄铜箔基材，且该加工成的薄铜箔基材与市面上供应的薄铜箔基材性能相同，通过减铜工艺获得的薄铜箔基材比在市面上直接购买3-9um薄铜箔基材其成本降低一半以上，解决了现有薄铜箔基材成本高、加工难度大等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜箔 基材 制备 方法 应用 材料 加工 | ||
【主权项】：
一种铜箔基材制备方法，其特征在于，包括以下步骤:对厚度大于铜厚规格要求的多个铜箔基材通过真空蚀刻均匀减小铜厚度；对减小铜厚度后的多个铜箔基材进行厚度确定，筛选出铜厚符合铜厚规格要求且铜厚均匀性达到预设阈值的铜箔基材。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳光启高等理工研究院，未经深圳光启高等理工研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610122546.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
