[发明专利]一种真空蒸镀装置及利用其制备有机电致发光器件的方法

摘要

本发明提供一种真空蒸镀装置及利用其制备有机电致发光器件的方法，所述真空蒸镀装置由真空蒸镀罩、钽蒸镀支架和真空泵组成；所述钽蒸镀支架由底座和两块基底支撑板组成，基底支撑板垂直设置在底座上方，两块基底支撑板的上方分别对应设置有基底卡槽，底座左右两侧分别接通电源的正负极、形成电流回路；所述底座与真空蒸镀罩平行放置，中间用木棍隔开，真空泵通过真空管与真空蒸镀罩的内部空间接通。本发明提供的真空蒸镀装置使得在制备有机电致发光器件时，在较低的压强条件下即可完成，毋须采用昂贵的真空蒸镀设备，所需设备较传统工艺所需工艺成本大大降低。

主权项

一种真空蒸镀装置制备有机电致发光器件的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：第一步：对ITO玻璃基板进行标准化清洗，再进行臭氧处理，然后在ITO玻璃基板上旋涂或刮涂或喷墨打印一层PEDOT: PSS，再进行退火；第二步：将TAPC溶解在氯仿中后静置1h，得到溶液A，其中溶液A的浓度为30 mg/mL；第三步：对硅基板Ⅰ进行标准化清洗，然后将溶液A通过旋涂或刮涂或喷墨打印的方法均匀的涂布在硅基板Ⅰ表面，形成厚度为120 nm的薄膜；第四步：将第一步中带有PEDOT: PSS层的ITO玻璃基板放置在两块基底支撑板（5）上的基底卡槽（6）中，PEDOT: PSS层朝下，将第三步中带有溶液A层的硅基板铺在两块基底支撑板（5）之间的底座（4）上，溶液A层朝上，用真空泵（3）将真空蒸镀罩（1）内的压强抽至0.01～3Pa，然后将底座（4）的左右两侧接通，形成电流大小为70 mA的电流回路，持续30s，将TAPC转移到ITO玻璃基板上的PEDOT: PSS层上；第五步：将TCTA: Ir(MDQ)2acac溶解在氯仿中后静置1 h，得到溶液B，其中溶液B的浓度为30 mg/mL，Ir(MDQ)2acac的掺杂比例为8%；第六步：对硅基板Ⅱ进行标准化清洗，然后将溶液B通过旋涂或刮涂或喷墨打印的方法均匀的涂布在硅基板Ⅱ表面，形成厚度为80 nm的薄膜；第七步：将第四步中处理后的带有PEDOT: PSS层和TAPC层的ITO玻璃基板放置在两块基底支撑板（5）上的基底卡槽（6）中，TAPC层朝下，将第六步中带有溶液B层的硅基板铺在两块基底支撑板（5）之间的底座（4）上，溶液B层朝上，用真空泵（3）将真空蒸镀罩（1）内的压强抽至0.01～3Pa，然后将底座（4）的左右两侧接通，形成电流大小为70 mA的电流回路，持续30s，将TCTA: Ir(MDQ)2acac转移到ITO玻璃基板上的TAPC层上；第八步：用传统方法在压强为1×10‑5Pa下将TmPyPB层蒸镀到第七步中得到的TCTA: Ir(MDQ)2acac层上，接着将Liq层蒸镀到TmPyPB层上，再将Al阴极层蒸镀到Liq层上，即得有机电致发光器件。