[发明专利]半导体集成电路装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610123635.X | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN106972000B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 原田博文 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;姜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供调整半导体集成电路装置的特性的能够稳定地形成熔丝元件的半导体集成电路装置及其制造方法。在熔丝元件使用的材料为利用溅射法形成的非晶硅层，与金属布线形成用同一个工序来形成，从而减小熔丝元件上的层间绝缘膜的膜厚，成为能得到激光微调加工的稳定性的半导体集成电路装置及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，包含：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的绝缘膜；在所述绝缘膜上分离而配置的两个由金属构成的导电体；层叠在所述导电体上的第1高熔点金属膜；以及由非晶硅层构成的熔丝元件，其覆盖所述第1高熔点金属膜上及所述导电体的侧面，并且设在所述两个导电体的分离的所述绝缘膜上的区域。
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