[发明专利]采用活性气体诱导Cd或Zn制备二维纳米结构的方法在审
| 申请号： | 201610124079.8 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105779942A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杜希文;凌涛;鲁逸人 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种活性气体诱导Cd或Zn二维纳米结构的制备方法，利用管式炉在温区1蒸发Cd或Zn源，Cd或Zn原子被载气输送到温区2，Cd或Zn原子在活性气体诱导下在生长基底上形成二维纳米结构，且活性气体吸附于Cd或Zn二维纳米结构外，防止其被空气氧化。所述载气为N2、Ar、He气中的一种或几种，所述活性气体为H2、CO、NH3、SO2、CO2、CS2、H2O中的一种或几种。当制备Cd二维纳米结构时，将温区(1)升温至200～400℃，当制备Zn二维纳米结构时，将温区(1)升温至400℃；然后将温区(2)升温至100‑200℃，保持1～2h。本发明操作简便、重复性好，在透明导电电极、催化等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 活性 气体 诱导 cd zn 制备 二维 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种活性气体诱导Cd或Zn二维纳米结构的制备方法，利用活性气体诱导Cd或Zn金属原子沿二维方向取向生长，活性气体吸附于Cd或Zn二维纳米片表面，防止其被空气氧化。该活性气体诱导Cd或Zn二维纳米结构的制备方法，具有如下步骤：(1)将Cd和Zn的蒸发源放置于管式炉温区(1)，将生长基底放置于温区(2)，将反应炉抽真空至0.1～0.5Torr；(2)向管式炉通入载气和活性气体，控制载气流量为100～200sccm，控制活性气体流量为20～60sccm，控制调节阀使得管式炉压力为3～4Torr；当制备Cd二维纳米结构时，将温区(1)升温至200～400℃，将温区(2)升温至100‑200℃，保持1～2h；当制备Zn二维纳米结构时，将温区(1)升温至400℃，将温区(2)升温至100‑200℃，保持1～2h。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610124079.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种TiAlN/MoN多层膜复合涂层及其制备方法
- 下一篇：一种蜗杆渗碳工艺
- 同类专利
- 专利分类
