[发明专利]一种滁菊株系离体再生的方法有效

专利信息
申请号: 201610124391.7 申请日: 2016-03-04
公开(公告)号: CN105706933B 公开(公告)日: 2017-10-27
发明(设计)人: 侯金艳;吴丽芳;马朝东 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)34124 代理人: 丁瑞瑞
地址: 230000 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种滁菊株系离体再生的方法,取田间滁菊株系的新生未木质化的带腋芽茎段为外植体,对其表面进行消毒处理;将茎段接种于不定芽诱导培养基中,1~2周光照培养,待茎段腋芽萌发,并在腋芽周边诱导出不定芽丛;培养2~3周,将带有不定芽丛的茎段转接于增殖培养基中进行不定芽的增殖和伸长培养;待芽长至2~3cm,转至生根培养基中进行生根;光照培养3~4周,待幼苗长至3~4cm并带有2~4片真叶时,进行炼苗并移栽,获得滁菊再生植株。本发明具有繁殖速度快,繁殖系数高,一次扩大培养后,平均每个外植体至少产生数十个丛生芽,保持滁菊母本植株优良特性;为优良滁菊株系快速规模化繁殖和遗传改良提供技术支持。
搜索关键词: 一种 滁菊株系离体 再生 方法
【主权项】:
一种滁菊株系离体再生的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)取田间滁菊优良株系的新生未木质化的带腋芽茎段为外植体,经初步消毒后,于无菌操作台内进行表面消毒;其中,初步消毒是指茎段去叶后分装于500ml烧杯中,于流水下冲洗10~20min,期间添加1~2ml洗涤液冲洗,并不断摇晃;表面消毒是指将茎段剪切成4~6cm大小,于无菌操作台中,经无菌水冲洗2~3遍,再用75%酒精进行表面消毒10~30s,无菌水冲洗3~5遍,之后再经0.1%的HgCl2消毒1~3min,最后用无菌水冲洗6~8遍,消毒期间不停地摇动;(2)切去茎段两端消毒损伤部位,然后切成0.3~0.6cm大小的切段备用,每个切段至少带有一个腋芽;接着,将切段备用的茎段接种于不定芽诱导培养基中,进行1~2周光照培养,待茎段腋芽萌发,并在腋芽周边诱导出不定芽丛;其中,不定芽诱导培养基包括:MS+0.2~2.0mg/L 6‑BA+30g/L蔗糖+7.0g/L琼脂,pH=5.8;(3)培养2~3周后,将带有不定芽丛的茎段转接于增殖培养基中进行不定芽的增殖和伸长培养;其中,增殖培养基包括:MS+0.1~0.75mg/L 6‑BA+0.0~0.5mg/L NAA+30g/L蔗糖+7.0g/L琼脂,pH=5.8;(4)待芽长至2~3cm,转至生根培养基中进行生根;其中,生根培养基包括:1/2MS+0.0~1.0mg/L IBA+20g/L蔗糖+7.0g/L琼脂,pH=5.8;(5)光照培养3~4周,待幼苗长至3~4cm并带有2~4片真叶时,进行炼苗并移栽,获得滁菊再生植株。
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