[发明专利]存储器结构有效
| 申请号： | 201610124538.2 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN107086269B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器结构，包括相变材料层、第一电极、第二电极、及导电间隙壁。第二电极与第一电极分别电性连接至相变材料层的上表面与下表面。导电间隙壁彼此分开且位于相变材料层的侧表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种存储器结构，包括：/n一相变材料层；/n一第一电极；/n一第二电极，与该第一电极分别电性连接至该相变材料层的一上表面与一下表面；/n多个导电间隙壁，彼此分开且位于该相变材料层的侧表面上；/n一底电极层；及/n一开关材料，该开关材料电性连接至该第一电极与该底电极层之间，其中这些导电间隙壁与该开关材料以及该底电极层具有共平面。/n
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