[发明专利]一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610124592.7 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105731825B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;陈召龙;李晋闽;曾清;张艳锋;魏同波 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法。包括：1)在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜的沉积，得到表面覆盖有石墨烯的玻璃；2)在所述表面覆盖有石墨烯的玻璃的石墨烯表面直接进行高温AlN薄膜的沉积，得到AlN薄膜。所述玻璃为耐高温玻璃，选自下述任意一种：石英玻璃、蓝宝石玻璃和耐高温硼硅玻璃等。本发明先在廉价石英玻璃、蓝宝石等耐高温玻璃上生长出石墨烯，然后将氮化铝薄膜一步法直接生长在石墨烯缓冲层上，无需经过低温氮化铝生长过程，直接大幅度降低了AlN薄膜生产成本。得到的AlN可以进一步加工成LED器件，基于石墨烯非常好的热导率，制成的LED芯片可以避免使用过程中的过热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 石墨 玻璃 低成本 大面积 制备 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长AlN薄膜的方法，包括下述步骤：1）在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜的沉积，得到表面覆盖有石墨烯的玻璃；2）在所述表面覆盖有石墨烯的玻璃的石墨烯表面直接进行高温AlN薄膜的沉积，得到AlN薄膜；所述玻璃为耐高温玻璃；所述石墨烯薄膜的沉积通过常压化学气相沉积实现；所述常压化学气相沉积中，沉积环境为常压环境；沉积温度为1000℃‑1100℃；沉积时间为60 min‑600 min；载气为由氩气和氢气组成的混合气，其中氩气与氢气的流量比为1‑10:1，氩气的流量为100‑1000sccm，氢气的流量为50‑500sccm；碳源为甲烷或乙烯，流量为10‑50sccm。
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