[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610124771.0 | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105938790B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 坂田贤治;木田刚;小野善宏 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在印刷布线衬底之上安装Si内插器，等离子体清洗Si内插器的上表面，在Si内插器的上表面之上布置NCF，和通过NCF在Si内插器的上表面之上安装半导体芯片。另外，该方法包括通过多个凸起电极用回流焊将第二衬底的多个电极中的每个电极和半导体芯片的多个电极垫中的每个电极垫相互电耦合的步骤，和在将NCF附着到Si内插器之前等离子体清洗Si内插器的表面的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)等离子体清洗芯片支承衬底的上表面，所述芯片支承衬底包括形成有多个电极的上表面和在所述上表面的相反侧的下表面；(b)在步骤(a)之后，在所述芯片支承衬底的上表面之上布置绝缘粘合剂；(c)在步骤(b)之后，通过所述绝缘粘合剂在所述芯片支承衬底的上表面上安装半导体芯片；以及(d)在步骤(c)之后，通过回流焊加热安装有所述半导体芯片的芯片支承衬底和所述绝缘粘合剂，并且通过多个凸起电极将所述芯片支承衬底的每个所述电极和所述半导体芯片的多个电极垫中的每个所述电极垫相互电耦合，其中，在步骤(d)中，在将所述绝缘粘合剂布置在每个所述凸起电极的周围的状态下，通过所述凸起电极将每个所述电极和每个所述电极垫相互电耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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