[发明专利]一种多晶硅发射极晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610124981.X | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105762181A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 张晶;郭佩兰 |
| 地址： | 100011 北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅发射极晶体管，在其下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个高掺杂浓度的N型发射区，该发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，其特点是：所述P型浓基区的上面与N型副发射区连接，N型副发射区的上面直接与掺杂多晶硅层连接，N型副发射区的侧面与N型发射区连接。本发明还提供了该多晶硅发射极晶体管的制造方法。本发明的优点是：能够提供更均匀的电流分布，具有较强的抗冲击能力，具有更高的可靠性而且成本更低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 发射极 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅发射极晶体管，在下层为N型低电阻率层、上层为N型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多个高掺杂浓度的N型发射区，该N型发射区的上面连接着N型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每个N型发射区的下面有P型基区，P型基区的侧面连着掺杂浓度比P型基区高的P型浓基区，P型浓基区与P型浓基区汇流条正交，硅衬底片的上方有基极金属层，硅衬底片的上层N型高电阻率层位于P型基区以下和P型浓基区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层N型低电阻率层为集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述基极金属层与P型浓基区汇流条相连接；所述P型浓基区的上面与N型副发射区连接，该N型副发射区的上面与N型掺杂多晶硅层连接；所述N型副发射区的侧面与N型发射区连接。
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