[发明专利]一种低面积开销的抗多节点翻转的触发器在审
申请号: | 201610125065.8 | 申请日: | 2016-03-06 |
公开(公告)号: | CN105811927A | 公开(公告)日: | 2016-07-27 |
发明(设计)人: | 梁斌;陈书明;陈建军;向文超;池雅庆;胡春媚 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | H03K3/356 | 分类号: | H03K3/356 |
代理公司: | 国防科技大学专利服务中心 43202 | 代理人: | 陆平静 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种低面积开销的抗多节点翻转的触发器,目的是保证DICE结构单元在具备抗多节点翻转能力的同时,减少加固设计所带来的面积开销。技术方案是在DICE结构加固的触发器敏感节点对所在的两个相邻PMOS管之间插入保护环,而在敏感节点对所在的两个相邻NMOS管之间插入保护漏。保护环和保护漏均采用n+扩散区,并连接到电源Vdd。N阱中,保护环可以单独存在于PMOS晶体管的源极或者漏极两侧,也可以同时存在;P衬底上,保护漏可以单独存在于NMOS晶体管的源极或者漏极附近,也可以同时存在。本发明相比于传统依靠引入空白区域来增大敏感节点对之间距离所实现触发器,抗多节点翻转能力能力更强,同时,面积开销更小。 | ||
搜索关键词: | 一种 面积 开销 节点 翻转 触发器 | ||
【主权项】:
一种低面积开销的抗多节点翻转的触发器,其特征在于,在DICE结构加固的触发器敏感节点对所在的两个相邻PMOS管之间插入保护环;而在敏感节点对所在的两个相邻NMOS管之间插入保护漏;所述保护环和保护漏接电源Vdd;N阱中,在PMOS晶体管敏感节点对之间设置保护环,保护环可以单独存在于源极或者漏极两侧,也可以同时存在,保护环的大小除了需要满足工艺设计规则外,还取决于邻近敏感节点间扩散电荷的数量以及保护环技术对不同晶体管之间电荷共享降低的百分比;P衬底上,在NMOS晶体管敏感节点对之间设置保护漏,保护漏可以单独存在于源极或者漏极附近,也可以同时存在,保护漏的大小除了需要满足工艺设计规则外,还取决于邻近敏感节点间扩散电荷的数量以及保护漏技术对不同晶体管之间电荷共享降低的百分比。
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