[发明专利]用于在半导体装置的金属基极层上产生金属柱的方法在审
申请号: | 201610125799.6 | 申请日: | 2016-03-04 |
公开(公告)号: | CN105977166A | 公开(公告)日: | 2016-09-28 |
发明(设计)人: | 盖伊·伯吉斯;安东尼·柯蒂斯;西奥多·特斯耶尔;利廉·汤姆森 | 申请(专利权)人: | 弗利普芯片国际有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李静;马强 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文包含的主题公开了一种用于在半导体装置的金属基极层上产生金属柱的方法,该金属柱覆盖焊点底层金属焊盘,该焊盘进一步覆盖半导体衬底,其中,该金属柱由至少一个光致抗蚀剂层限定。该方法包括加热多元素金属浆料(其包括可变量的金属粉末、熔点抑制剂和助焊剂),使得金属粉末烧结以形成金属柱,同时将金属柱粘附至焊点底层金属焊盘。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 装置 金属 基极 产生 方法 | ||
【主权项】:
一种用于在半导体装置的金属基极层上产生金属柱的方法,包括:在所述金属基极层上沉积光致抗蚀剂层;在所述光致抗蚀剂层中产生开口,所述开口具有的总体积构造为暴露所述金属基极层且进一步构造为限定所述金属柱;用多元素金属浆料充分地填充所述光致抗蚀剂层中的所述开口的总体积,所述多元素金属浆料包括金属部分和非金属部分;通过将所述多元素金属浆料加热至所述多元素金属浆料的金属部分的烧结温度,来至少部分地去除所述多元素金属浆料的非金属部分,由此,所述光致抗蚀剂层中的所述开口的总体积的底部保留所述多元素金属浆料的烧结金属部分并且该总体积的顶部是空的;用焊料浆料充分地填充所述总体积的空的顶部;通过将所述焊料浆料加热至所述焊料浆料的回流温度来形成焊帽;以及剥离所述光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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