[发明专利]制造半导体器件的方法、复合晶圆和半导体器件有效
| 申请号： | 201610126058.X | 申请日： | 2016-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN105938794B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | W·勒默特;R·伯格;A·布里纳;H·布里施;O·黑伯伦;G·鲁尔;R·拉普 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法、复合晶圆和半导体器件。具有第一晶格系统的第一晶体材料的半导体盘(410)被接合在基础衬底(490)的工艺表面(491)上，其中接合层(415)被形成在半导体盘(410)与基础衬底(490)之间。具有不同的第二晶格系统的第二晶体材料的第二半导体层(420)通过外延被形成在由半导体盘(410)形成的第一半导体层(410a)上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 复合 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过粘合接合，在基础衬底(490)的工艺表面(491)上附接第一晶体材料的半导体盘(410)，其中所述第一晶体材料具有第一晶格系统并且其中接合层(415)形成在所述半导体盘(410)与所述基础衬底(490)之间；以及通过外延，在由所述半导体盘(410)形成且在所述基础衬底(490)上粘合接合的第一半导体层(410a)上形成第二晶体材料的第二半导体层(420)，所述第二晶体材料具有不同的第二晶格系统，其中形成所述第二半导体层(420)包括：在所述第一半导体层(410a)上直接形成缓冲结构(418)以及通过外延在所述缓冲结构(418)上生长所述第二半导体层(420)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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