[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610126260.2 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN106024868B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 尹彰燮;具滋悦;金相吉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;李云霞 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源/漏接触件，与多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到源/漏接触件下方的源区/漏区，多个源区/漏区中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分与多个源区/漏区下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与所述多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的所述多个有源图案上；源/漏接触件，与所述多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到其下方的源区/漏区，其中，所述多个源区/漏区中的每个包括：第一部分，与其下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分，从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，其中，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。
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