[发明专利]一种透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201610126603.5 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN105732006A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 刘玉洁 | 申请（专利权）人： | 无锡南理工科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C23C14/22;C23C14/30;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 胡定华 |
| 地址： | 214192 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法，包括以下步骤，（1）配比原料：按质量比例称取原料In2O3粉末、WO3粉末和SnO2粉末；（2）均匀混合原料：将原料放入球磨机，球磨5~10h，混合均匀后取出后再用去离子水配成悬浊液，再用磁力搅拌器加热搅拌直至去离子水蒸发后变为溶胶状混合物；（3）压制成型：将溶胶状混合物装入模具中在250~300KN的载荷下压制成型，得到第一次成型的生坯，再用200~250KN的载荷进行二次压制成型，得到生坯；（4）煅烧生坯：将制得的生坯放在马弗炉中在空气气氛中进行煅烧，煅烧温度为1000~1100℃，煅烧时间为8~18h；待冷却至常温，得到IWTO靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 透明 导电 薄膜 iwto 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种透明导电薄膜IWTO的靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，（1）配比原料：按质量比例称取原料In2O3粉末、WO3粉末和SnO2粉末；（2）均匀混合原料：将步骤（1）中的原料放入球磨机，球磨5~10h，混合均匀后取出后再用去离子水配成悬浊液，再用磁力搅拌器加热搅拌直至去离子水蒸发后变为溶胶状混合物；（3）压制成型：将步骤（2）中的溶胶状混合物装入模具中在250~300KN的载荷下压制成型，得到第一次成型的生坯，再用200~250KN的载荷进行二次压制成型，得到生坯；（4）煅烧生坯：将步骤（3）中制得的生坯放在马弗炉中在空气气氛中进行煅烧，煅烧温度为1000~1100℃，煅烧时间为8~18h；待冷却至常温，得到IWTO靶材。
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