[发明专利]保护膜检测方法有效
申请号: | 201610127183.2 | 申请日: | 2016-03-07 |
公开(公告)号: | CN105977175B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 梁仙一;伊藤优作;远藤智章;大浦幸伸;小田中健太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
提供保护膜检测方法,高精度地确认保护膜覆盖装置所进行的水溶性保护膜的覆盖状况,是检测被加工物上是否覆盖有水溶性保护膜的方法。保护膜检测方法具有检测前的准备步骤(ST1)和检测步骤(ST2)。准备步骤(ST1)具有:反射强度获取步骤(ST12),对参照物的覆盖有水溶性保护膜的第1区域和未覆盖水溶性保护膜的第2区域照射红外光并接受反射光,获取第1区域的反射强度和第2区域的反射强度;阈值决定步骤(ST13),根据波数为3000cm |
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搜索关键词: | 保护膜 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种保护膜检测方法,对被加工物上是否覆盖有水溶性保护膜进行检测,所述被加工物在表面上形成有凸点或图案,其中,该保护膜检测方法具有:反射强度获取步骤,对具有预先覆盖了水溶性保护膜的第1区域以及没有覆盖水溶性保护膜的第2区域的参照物分别照射具有规定的波段的红外光并接受反射光,获取平均化后的所述第1区域的反射强度和所述第2区域的反射强度;阈值决定步骤,根据波数为3000cm‑1~3600cm‑1的情况下的所述第1区域的反射强度和所述第2区域的反射强度来求解阈值,该阈值作为判断是否覆盖有所述水溶性保护膜的基准;以及检测工序,通过以规定的角度θ对覆盖了水溶性保护膜的被加工物的表面依次照射红外光并接受反射光而获取反射强度,并将所获取的所述反射强度与所述阈值进行比较来检测是否覆盖有所述水溶性保护膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造