[发明专利]半导体发光元件及覆晶式封装元件在审

专利信息
申请号: 201610127542.4 申请日: 2012-05-14
公开(公告)号: CN105609612A 公开(公告)日: 2016-05-25
发明(设计)人: 李允立;吴志凌;黄逸儒;罗玉云 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体发光元件及覆晶式封装元件。该半导体发光元件,包括第一态掺杂半导体层、发光层、第二态掺杂半导体层以及反射层。第一态掺杂半导体层具有平台部与下陷部。发光层配置于平台部上并具有第一表面、第二表面及连接第一表面与第二表面的第一侧壁面。第二态掺杂半导体层配置于发光层上并具有第三表面、第四表面及连接第三表面与第四表面的第二侧壁面。反射层覆盖至少部分第二态掺杂半导体层及至少部分第一态掺杂半导体层,其中以平行于发光层的观察方向来看,反射层覆盖至少部分第一侧壁面与至少部分第二侧壁面。本发明提供的半导体发光元件及覆晶式封装元件,具有良好的发光效率。
搜索关键词: 半导体 发光 元件 覆晶式 封装
【主权项】:
一种半导体发光元件,其特征在于,包括:第一态掺杂半导体层,具有平台部与下陷部;第二态掺杂半导体层,配置于所述平台部上,发光层,配置于所述第一态掺杂半导体层与所述第二态掺杂半导体层之间;第一反射层,配置于所述第二态掺杂半导体层上;布拉格反射层,覆盖所述第一态掺杂半导体层、所述发光层、所述第二态掺杂半导体层以及所述第一反射层,所述布拉格反射层具有第一开口与第二开口,其中所述第一开口位于所述第一态掺杂半导体层上,所述第二开口位于所述第二态掺杂半导体层上;第一金属接点,配置于部分所述布拉格反射层上,所述第一金属接点穿过所述第一开口与所述第一态掺杂半导体层电性连接;以及第二金属接点,配置于部分所述布拉格反射层上,所述第二金属接点穿过所述第二开口与所述第二态掺杂半导体层电性连接,且所述第一金属接点与所述第二金属接点电性隔离。
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