[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610127707.8 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN105977171B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 五十岚敏 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置，其包含衬底、包含半导体芯片的半导体封装，及在所述衬底与所述半导体封装之间的连接器，所述连接器具有相对的第一及第二平面表面，所述第一平面表面与所述衬底接触且所述第二平面表面与所述半导体封装接触。所述连接器还包含多个电线，其在所述第一平面表面与所述第二平面表面之间延伸以将所述衬底的电极电连接至所述半导体封装的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：衬底；包含半导体芯片的半导体封装；及在所述衬底与所述半导体封装之间的连接器，所述连接器具有相对的第一及第二平面表面，所述第一平面表面与所述衬底接触且所述第二平面表面与所述半导体封装接触，所述连接器还包含多个电线，其在所述第一平面表面与所述第二平面表面之间延伸以将所述衬底的电极电连接至所述半导体封装的电极；并且所述连接器具有沿所述第一平面表面及所述第二平面表面的凹部，沿所述第一平面表面的所述凹部导致所述衬底及所述连接器通过吸力粘附至彼此，且沿所述第二平面表面的所述凹部导致所述半导体封装及所述连接器通过吸力粘附至彼此。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
