[发明专利]应用于存储阵列的数据修复方法与装置及存储设备有效

专利信息
申请号: 201610128577.X 申请日: 2016-03-07
公开(公告)号: CN107168817B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 蒲贵友 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F11/14 分类号: G06F11/14;G06F3/06
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 逯长明;许伟群
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了用于存储阵列的数据修复方法、装置及存储设备。所述方法包括:使用第二指定行中各个存储单元所存储的数据中未损坏的数据,及所述第二指定存储单元所存储的额外校验数据,修复所述存储阵列的第二指定行的各个存储单元中所存储的数据中损坏的数据;使用所述行校验数据及斜线校验数据,逐一修复除所述第一指定行及所述第二指定行外其它各行中存储单元所保存的用数据中损坏的数据。采用本申请用于存储阵列的数据修复方法、装置及存储设备,可以在在两个硬盘同时失效时,有效修复存储阵列各个存储单元所存储的数据中损坏的用户数据,从而减少无法修复存储阵列中损坏的数据的情况。
搜索关键词: 应用于 存储 阵列 数据 修复 方法 装置 设备
【主权项】:
一种用于存储阵列的数据修复方法,其特征在于,所述存储阵列包含N行N列存储单元,N≥4,且所述存储阵列同一列中的存储单元位于一个磁盘上,所述存储阵列同一行中的存储单元分别位于不同的磁盘上;其中,除位于第N行第M列的存储单元之外,其他位于第1至M列中的存储单元均用于存储用户数据,M=N‑2;位于第N行第N‑1列的存储单元及位于第N行第M列的存储单元,用于存储第N行中各个存储单元所存储用户数据的行校验数据;位于第N‑1列中且与第i行相对应的存储单元,用于存储第i行中各个存储单元所存储用户数据的行校验数据,i=1,2,3,……,N‑1;位于第N列中且与第k个斜线校验组相对应的存储单元,用于存储第k个斜线校验组中各个存储单元所存储用户数据的斜线校验数据,k=1,2,3,……,M;位于第N列中的第一指定存储单元,用于存储第一指定行中各个存储单元所存储用户数据的额外校验数据,位于第N行中的第二指定存储单元,用于存储第二指定行中各个存储单元所存储用户数据的额外校验数据,其中,所述第一指定行与所述第二指定行为所述存储阵列第1至N‑1行中的任意两行;所述方法包括:在所述硬盘发生双盘失效导致所述存储阵列中存储单元所存储的数据被损坏时,如果所述存储阵列第N列中各个存储单元所保存的数据未被损坏,使用第一指定行中各个存储单元所存储的数据中未损坏的数据,及所述第一指定存储单元所存储的额外校验数据,修复所述存储阵列的第一指定行的各个存储单元中所存储的数据中损坏的数据;使用第二指定行中各个存储单元所存储的数据中未损坏的数据,及所述第二指定存储单元所存储的额外校验数据,修复所述存储阵列的第二指定行的各个存储单元中所存储的数据中损坏的数据;使用所述行校验数据及斜线校验数据,逐一修复除所述第一指定行及所述第二指定行外其它各行中存储单元所保存的用数据中损坏的数据。
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