[发明专利]一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法

摘要

本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法；电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层RL，第一绝缘层为隧穿层I，第二磁性层为自由层FL，第一金属层为非磁金属层NM，第二绝缘层为介电层I*；当在磁隧道结单元的两端施加电压时，电场通过两个绝缘层引入到I/FL和FL/NM界面，从而调控I/FL的界面磁各向异性，并控制FL/NM的界面磁各向异性。写入方法应用了连续施加的双脉冲，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁各向异性的大小，从而减小写入难度，极大降低器件功耗。

主权项

1.一种电场辅助写入型磁隧道结单元，其特征在于，包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、第一金属层、第二绝缘层和第二电极层；所述第一磁性层为参照层RL，所述第一绝缘隧穿层为隧穿层I，所述第二磁性层为自由层FL，所述第一金属层为非磁金属层NM，所述第二绝缘层为介电层I*；当在磁隧道结单元的两端施加电压时，电场通过两个绝缘层被引入到隧穿层与自由层之间的界面和自由层与非磁金属层之间的界面，从而调控隧穿层与自由层之间的界面磁各向异性，并控制自由层与非磁金属层之间的界面磁各向异性；所述电场辅助写入型磁隧道结单元还包括形成于所述第二电极层和所述第二绝缘层之间的第四磁性层。