[发明专利]基于新型互补开口谐振环结构的基片集成波导带通滤波器

摘要

本发明公开了基于新型互补开口谐振环结构的基片集成波导带通滤波器，包括介质基片、微带传输线、共面波导过渡结构、两排金属柱、位于介质基片上表面的金属层、位于介质基片下面的金属接地板、位于上表面金属层的至少一个新型互补开口谐振环结构。其中，新型互补开口谐振环结构用于产生通带，共面波导过渡用于提升通带性能。本发明采用新型互补开口谐振环结构，相比于传统谐振环结构，该基片集成波导带通滤波器的带宽得到提升，带外选择性能更优秀。

主权项

1.基于新型互补开口谐振环结构的基片集成波导带通滤波器，包括形状为矩形的介质基片，其特征在于，介质基片上表面的中间设有金属层，该金属层与介质基片等宽，长度小于介质基片的长度；金属层的每条宽边均开有两个槽线，每条宽边的两个槽线均关于介质基片长边方向的对折线对称，每条宽边的两个槽线之间的金属层部分均与微带传输线连接，且微带传输线延伸至介质基片一对宽边的边沿，并垂直于前述一对宽边；金属层上设置有至少一个中心对称的互补开口谐振环结构，互补开口谐振环结构包括依次首尾相连的第一至第七槽线，其中，第二、第四、第六槽线相互平行且相邻两者之间间距相等，第一、第三槽线均与第二槽线垂直，第五、第七槽线均与第六槽线垂直，第一、第五槽线在同一条直线上，第三、第七槽线在同一条直线上，第一、第七槽线长度相同且长度小于第二与第四槽线之间的间距；互补开口谐振环结构的第四槽线位于介质基片长度方向的对折线上；介质基片下表面为金属接地板，覆盖整个介质基片下表面；介质基片两个长边方向边沿均嵌有一排等间距排列的金属柱，金属柱的直径均相同，且与介质基片等高，金属柱连通了介质基片上表面的金属层和下表面的金属接地板。