[发明专利]微处理器及其存储装置有效
申请号: | 201610129745.7 | 申请日: | 2016-03-08 |
公开(公告)号: | CN105702291B | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 张勇;肖军 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/24 | 分类号: | G11C16/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张凤伟;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种微处理器及其存储装置。所述存储装置包括:第一存储阵列,第二存储阵列,第一字线选通电路,第二字线选通电路,及位线选通电路,其中,所述第二存储阵列的位线数量为所述第一存储阵列的位线数量的整数倍,且所述第一存储阵列与所述第二存储阵列共用位线;所述位线选通电路,分别与所述第一存储阵列及第二存储阵列的位线连接,适于根据所述目标操作地址信号,选中所述第一存储阵列的全部存储单元,或者选中所述第二存储阵列中的一列存储单元,以对所选中的存储单元进行相应的操作。应用所述存储装置可以减小微处理器的芯片面积。 | ||
搜索关键词: | 微处理器 及其 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种微处理器中的存储装置,其特征在于,包括:第一存储阵列,第二存储阵列,第一字线选通电路,第二字线选通电路,及位线选通电路,其中:所述第一存储阵列,包括多个呈阵列排布的第一存储单元,其中,位于同一行的各所述第一存储单元的中间电极连接于同一字线,位于同一列的各所述第一存储单元的位线电极连接于同一位线;所述第二存储阵列,包括多个呈阵列排布的第二存储单元,其中,位于同一行的各所述第二存储单元的中间电极连接于同一字线,位于同一列的各所述第二存储单元的位线电极连接于同一位线;所述第二存储阵列的位线数量大于所述第一存储阵列的位线数量,且所述第一存储阵列与所述第二存储阵列共用位线;所述第一字线选通电路,与所述第一存储阵列的各字线连接,适于根据目标操作地址信号,选中所述第一存储阵列中的一行存储单元,以对所选中行的存储单元进行相应的操作;所述第二字线选通电路,与所述第二存储阵列的各字线连接,适于根据所述目标操作地址信号,选中所述第二存储阵列中的一行存储单元,以对所选中行的存储单元进行相应的操作;所述位线选通电路,分别与所述第一存储阵列及第二存储阵列的位线连接,适于根据所述目标操作地址信号,选中所述第一存储阵列的全部存储单元,或者选中所述第二存储阵列中的一列存储单元,以对所选中的存储单元进行相应的操作。
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