[发明专利]片上对称电感的射频模型有效
| 申请号： | 201610129781.3 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN105808844B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张健 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘彦君;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种片上对称电感的射频模型，所述射频模型适于模拟所述片上对称电感的衬底涡流效应，所述片上对称电感和半导体衬底之间隔离有介质层，所述射频模型包括N个衬底涡流等效电路，以及N‑1个衬底涡流变化等效电路，适于模拟所述片上对称电感的外圈与内圈的衬底涡流变化趋势，N≥1。采用上述方案可以提高片上对称电感的品质因子Q及其电感值的模拟精度。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 电感 射频 模型 | ||
【主权项】：
1.一种建立片上对称电感的射频模型的方法，其特征在于，所述射频模型适于模拟所述片上对称电感的衬底涡流效应，所述片上对称电感和半导体衬底之间隔离有介质层，所述射频模型包括N个衬底涡流等效电路，以及N‑1个衬底涡流变化等效电路，适于模拟所述片上对称电感的外圈与内圈的衬底涡流变化趋势，N≥1；其中，所述衬底涡流变化等效电路包括第二衬底涡流变化等效电路和第三衬底涡流变化等效电路，其中第二衬底涡流变化等效电路和第三衬底涡流变化等效电路均包括第一耦合电容，且与所述第二衬底涡流变化等效电路和所述第三衬底涡流变化等效电路直接相邻的衬底涡流等效电路与所述片上对称电感的几何中心的线圈均不对应时，所述第二衬底涡流变化等效电路中的第一耦合电容与所述第三衬底涡流变化等效电路中的第一耦合电容与所述衬底涡流等效电路的连接关系呈镜像对称结构，其中所述第二衬底涡流变化等效电路中的第一耦合电容的一端与其中一个所述衬底涡流等效电路中的所述介质层电容的输出端耦接，另一端与另一个所述衬底涡流等效电路中的所述介质层电容的输入端耦接。
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