[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201610129783.2 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107170683A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底具有N型边缘区和P型边缘区，所述N型边缘区和P型边缘区的半导体衬底上形成有鳍部、横跨所述鳍部的伪栅介质层和覆盖伪栅介质层的伪栅电极、以及覆盖伪栅介质层和伪栅电极的侧壁和所述鳍部的层间介质层；去除N型边缘区的伪栅电极，形成第一开口；对第一开口底部的伪栅介质层进行氮等离子体处理；氮等离子体处理后，去除P型边缘区的伪栅电极，形成第二开口；形成第二开口后，进行氟气氛退火处理；氟气氛退火处理后，在所述第一开口和第二开口中形成金属栅极结构。所述方法使得提高了鳍式场效应晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有N型边缘区和P型边缘区，所述N型边缘区和P型边缘区的半导体衬底上形成有鳍部、横跨所述鳍部的伪栅介质层和覆盖伪栅介质层的伪栅电极、以及覆盖伪栅介质层和伪栅电极的侧壁和所述鳍部的层间介质层；去除N型边缘区的伪栅电极，形成第一开口；对第一开口底部的伪栅介质层进行氮等离子体处理；氮等离子体处理后，去除P型边缘区的伪栅电极，形成第二开口；形成第二开口后，进行氟气氛退火处理；氟气氛退火处理后，在所述第一开口和第二开口中形成金属栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
