[发明专利]磊晶晶圆以及发光二极管在审
| 申请号： | 201610130003.6 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN106067494A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 酒井健滋;池田淳;川原实 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种磊晶晶圆，能改善在发光波长为670nm以上且690nm以下的范围，自AlGaInp系材料所构成的发光部的发光效率。本发明的磊晶晶圆包含发光层，是由以化学式(AlxGa1‑x)yIn1‑yP所表示的化合物半导体所构成的第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层所积层而成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，该发光层的发光波长为670nm以上且690nm以下，该活性层为阱层与障壁层交互积层而成的量子阱构造，该障壁层的组成为0.20≤x≤0.45，0＜y＜1。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶晶圆 以及 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种磊晶晶圆，包括：发光层，其由将以化学式(AlxGa1‑x)yIn1‑yP所表示的化合物半导体所构成的第一导电型包覆层、活性层以及第二导电型包覆层为积层而成，其中0≦x≦1，0≦y≦1，该发光层的发光波长为670nm以上且690nm以下，其中，该活性层为将阱层及障壁层为交互积层而成的量子阱构造，该障壁层的组成为0.20≦x≦0.45，0＜y＜1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社，未经信越半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610130003.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微晶格失配量子阱太阳能电池及其制备方法
- 下一篇：发光二极管的制造方法
