[发明专利]半导体模块及半导体装置有效
| 申请号： | 201610130201.2 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057740B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 稻叶哲也;池田良成;堀元人;君岛大辅 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/049 | 分类号： | H01L23/049;H01L23/49;H01L25/07;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体模块以及半导体装置能够抑制动作不良的产生。半导体模块具备：半导体元件，在其正面具备栅电极和源电极，在其背面具备漏电极，并且漏电极和漏极板的正面连接；层积基板，其具备在绝缘板的正面电连接有栅电极的第一电路板和与源电极电连接的第二电路板，并且层积基板配置于漏极板的正面；栅极端子，其配置在第一电路板上；源极端子，其配置在第二电路板上；盖，其与漏极板的正面对置地配置，具备栅极端子以及源极端子所在的开口和与开口接触并延伸至外周部的导槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体模块，其特征在于，具备：/n漏极板；/n半导体元件，在其正面具备栅电极和源电极，在背面具备漏电极，并且所述半导体元件配置于所述漏极板的正面，所述漏电极与所述漏极板电连接；/n层积基板，其具备绝缘板和设置于所述绝缘板的正面的第一电路板以及第二电路板，并且所述层积基板配置于所述漏极板的正面，所述第一电路板与所述栅电极电连接，所述第二电路板与所述源电极电连接；/n栅极端子，其配置在所述第一电路板上；/n源极端子，其配置在所述第二电路板上；和/n盖，其具备开口以及导槽，所述盖与所述漏极板的正面对置地配置，所述栅极端子以及所述源极端子位于所述开口，所述导槽与所述开口接触并延伸至外周部。/n
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