[发明专利]具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置在审

申请号：	201610130291.5	申请日：	2016-03-08
公开（公告）号：	CN105957864A	公开（公告）日：	2016-09-21
发明（设计）人：	N·曲;A·格拉赫	申请（专利权）人：	罗伯特·博世有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L21/77;H01L29/872;H01L21/329
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	郭毅
地址：	德国斯***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明涉及一种具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)和在所述第一侧(16)中延伸的并且至少部分地以金属(14、14a)和/或以第二导电类型的半导体材料(40；41)填充的至少一个槽沟(18)，其中，所述槽沟(18)具有至少一个壁区段(20)，所述至少一个壁区段至少局部地具有氧化物层(22)。根据本发明，位于所述槽沟(18)旁的、敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的至少一个区域(24)具有位于所述金属层(14)和所述半导体体积(12)之间的、由所述第二导电类型的第一半导体材料(26)制成的层。
搜索关键词：	具有沟槽 mos 势垒肖特基二极管半导体装置
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【主权项】：

一种具有沟槽型MOS势垒肖特基二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)和在所述第一侧(16)中延伸的并且至少部分地以金属(14、14a)和/或以第二导电类型的半导体材料(40；41)填充的至少一个槽沟(18)，其中，所述槽沟(18)具有至少一个壁区段(20)，所述至少一个壁区段至少局部地具有氧化物层(22)，其特征在于，位于所述槽沟(18)旁的、敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的至少一个区域(24)具有位于所述金属层(14)和所述半导体体积(12)之间的、由所述第二导电类型的第一半导体材料(26)制成的层。

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