[发明专利]一种有机磷光器件的制备方法有效
申请号: | 201610130459.2 | 申请日: | 2016-03-09 |
公开(公告)号: | CN105633303B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 廖良生;王照奎;张磊 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 曹毅 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种有机磷光器件的制备方法,该方法的制备步骤如下将ITO透明导电玻璃基片处理后置于真空腔内,抽真空;在基片上真空蒸镀HATCN层,形成空穴注入层;在空穴注入层上蒸镀由TAPC或TCTA形成的复合层;在复合层上采用双源蒸镀的方法,将DBF‑DMS作为主体材料,fac‑Ir(iprpmi)3作为染料制备有机发光层;在有机发光层上蒸镀TmPyPB,形成电子传输层,或者在有机发光层上依次蒸镀DBF‑DMS和Alq3形成空穴阻挡层和电子传输层;在电子传输层上依次真空蒸镀Liq层和Al层,形成阴极,即得有机磷光器件。本发明的制备方法易于制作、重复性好,制备得到的有机磷光器件的效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 磷光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种有机磷光器件的制备方法,其特征在于该方法的制备步骤如下:第一步:将ITO透明导电玻璃基片在清洗剂中超声处理后,进行清洗,再烘烤至干燥,然后用紫外灯和臭氧进行处理,再把处理过的ITO透明导电玻璃基片置于真空腔内,抽真空至3.0×10‑4~4.0×10‑4Pa;第二步:在ITO透明导电玻璃基片上真空蒸镀HATCN层,形成空穴注入层,其中蒸镀速率为0.3 Å/s,镀膜厚度为10 nm;第三步:在空穴注入层上蒸镀由TAPC或TCTA形成的具有空穴传输层和电子阻挡作用的复合层,其中蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为45nm,或者在空穴注入层上依次蒸镀NPB和TCTA形成空穴传输层和电子阻挡层,其中NPB的蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为35nm,TCTA的蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为10 nm;第四步:在第三步制备得到的复合层或电子阻挡层上采用双源蒸镀的方法,将DBF‑DMS作为主体材料,fac‑Ir(iprpmi)3作为染料制备有机发光层,其中蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为20 nm,或者将DBF‑DMS作为主体材料,fac‑Ir(iprpmi)3和PO‑01作为染料制备有机发光层,其中蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为20nm;第五步:在第四步制备得到的有机发光层上蒸镀TmPyPB,形成具有空穴阻挡和电子传输作用的电子传输层,其中蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为45nm,或者在有机发光层上依次蒸镀DBF‑DMS和Alq3形成空穴阻挡层和电子传输层,其中DBF‑DMS的蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为10 nm,Alq3的蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为35nm;第六步:在第五步中制备得到的电子传输层上依次真空蒸镀Liq层和Al层,形成阴极,即得有机磷光器件,其中Liq层的厚度为2nm,Al层的厚度为120nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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