[发明专利]鳍式晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式晶体管的形成方法，包括：提供包括N型核心区和P型核心区的衬底，衬底表面具有鳍部和隔离层；在N型核心区和P型核心区的鳍部侧壁和顶部表面形成第一栅氧层；在隔离层和第一栅氧层表面形成分别横跨N型核心区和P型核心区鳍部的伪栅层；在隔离层和鳍部上形成介质层，介质层暴露出伪栅层顶部；去除伪栅层，在N型核心区的介质层内形成第一沟槽，在P型核心区的介质层内形成第二沟槽；去除第一沟槽底部的第一栅氧层；在N型核心区暴露出的鳍部侧壁和顶部表面形成第二栅氧层；在第二栅氧层表面形成填充满第一沟槽的第一栅极结构；在第一栅氧层表面形成填充满第二沟槽的第二栅极结构。所形成的鳍式晶体管性能改善。

主权项

1.一种鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底包括N型核心区和P型核心区，所述N型核心区和P型核心区的衬底表面分别具有鳍部，所述衬底表面具有隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离层表面低于所述鳍部的顶部表面；/n采用第一氧化工艺在所述N型核心区和P型核心区的鳍部侧壁和顶部表面形成第一栅氧层；/n在所述隔离层和第一栅氧层表面形成分别横跨所述N型核心区和P型核心区鳍部的伪栅层，所述伪栅层覆盖在部分鳍部侧壁和顶部上；/n在所述隔离层和鳍部上形成介质层，所述介质层覆盖所述伪栅层的侧壁，且所述介质层暴露出所述伪栅层顶部；/n去除所述伪栅层，在所述N型核心区的介质层内形成第一沟槽，在所述P型核心区的介质层内形成第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽暴露出所述第一栅氧层；/n去除第一沟槽底部的第一栅氧层，并暴露出N型核心区的鳍部侧壁和顶部表面；/n采用第二氧化工艺在所述N型核心区暴露出的鳍部侧壁和顶部表面形成第二栅氧层，所述第二栅氧层的等效氧化层厚度小于第一栅氧层的等效氧化层厚度；/n在所述第二栅氧层表面形成填充满所述第一沟槽的第一栅极结构；/n在所述第一栅氧层表面形成填充满所述第二沟槽的第二栅极结构。/n