[发明专利]一种发光二极管的外延结构及外延生长方法在审
| 申请号： | 201610131274.3 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN105679892A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 肖云飞 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延结构及外延生长方法，属于半导体技术领域。所述外延结构包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P型GaN接触层，所述外延结构还包括层叠在所述蓝宝石衬底和所述GaN缓冲层之间的AlxGa1-xN缓冲层，0.3≤x≤0.8。本发明通过在主要成分为Al2O3的蓝宝石衬底和GaN缓冲层之间设置AlxGa1-xN缓冲层，可以有效减缓因Al2O3和GaN之间晶格失配产生的缺陷和位错，减少发光二极管的漏电通道，提高发光二极管的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延结构，所述外延结构包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P型GaN接触层，其特征在于，所述外延结构还包括层叠在所述蓝宝石衬底和所述GaN缓冲层之间的AlxGa1‑xN缓冲层，0.3≤x≤0.8。
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